Le ministère des Sciences et des Technologies de l’information et de la communication (vice-Premier ministre et ministre Bae Kyung-hoon) a annoncé qu’il tiendrait le 11, à 13h30, à l’Institut de technologie de nanoconvergence de l’Université des sciences et technologies de Pohang (POSTECH), la réunion de présentation des résultats du conseil en optimisation de l’exploitation des fabs publiques de nanotechnologie mené conjointement par Samsung Electronics et l’Institut de nanoconvergence. Il s’agit d’une initiative visant à renforcer la compétitivité des services en transférant, de façon sur mesure, le savoir-faire d’exploitation des fabs de semi-conducteurs d’une entreprise privée vers les fabs publiques de nanotechnologie, infrastructure nationale de recherche en semi-conducteurs.
![]() [코리안투데이] Réunion de présentation des résultats du conseil en optimisation de l’exploitation des fabs publiques de nanotechnologie mené par Samsung Electronics et l’Institut de nanoconvergence © 장형임 기자 |
Cet événement a été organisé dans le prolongement de l’accord de coopération (MOU) conclu en mars de l’année dernière entre le ministère et les trois principaux acteurs du secteur des semi-conducteurs (Samsung Electronics, SK hynix et DB HiTek). De mars à août de cette année, pendant six mois, le Centre de coopération gagnant-gagnant de la division DS de Samsung Electronics a mené auprès de l’Institut de nanoconvergence un conseil destiné à transférer son savoir-faire en matière d’exploitation et de gestion des fabs de semi-conducteurs.
Lors de la réunion de présentation, les participants ont partagé les résultats obtenus jusqu’ici pour améliorer la compétitivité opérationnelle et la qualité de service des fabs publiques, et ont examiné les modalités de coopération public-privé destinées à renforcer l’écosystème national de recherche en semi-conducteurs. Une vingtaine de personnes ont pris part à l’événement, dont Ji Hyun-ki, vice-président et directeur du Centre de coopération gagnant-gagnant de la division DS de Samsung Electronics, ainsi que Lee Byung-hoon, directeur de l’Institut de nanoconvergence.
Ce conseil a appliqué, en l’adaptant aux spécificités des fabs publiques, l’expérience d’innovation manufacturière issue du conseil de mise à niveau que Samsung Electronics mène depuis plusieurs années auprès de ses partenaires fournisseurs de matériaux, composants et équipements (le secteur dit MCE, sobujang). En adoptant cette méthodologie d’amélioration sur le terrain, l’Institut de nanoconvergence a renforcé de manière globale sa sécurité, sa propreté, la fiabilité de ses installations et sa capacité de réponse en matière de services de procédés.
En ce qui concerne les améliorations par domaine, dans le volet sécurité et environnement, les facteurs de risque potentiels sur le terrain (stockage des produits chimiques, fuites et corrosion des canalisations, équipements incendie, aspiration localisée, équipements de protection, etc.) ont été intégralement recensés et corrigés. Dans le volet gestion du terrain, sur la base de la méthode dite 5S3Jeong (ranger, ordonner, nettoyer, maintenir la propreté, ancrer les habitudes ; produit conforme, quantité conforme, emplacement conforme), le rangement des outils et fournitures à leur emplacement défini ainsi que la propreté autour des établis et des équipements ont été nettement améliorés. Dans le volet exploitation des installations, le système de communication entre procédés a été renforcé et les activités de maintenance préventive régularisées ; dans le volet gestion des équipements, sous l’angle des huit systèmes d’équipement (assemblage, lubrification, entraînement, transmission, pneumatique, appareillage électrique, commande, instrumentation), l’état de base des machines a été restauré et les causes potentielles de panne éliminées en amont.
Ce conseil se distingue notamment par le fait qu’il est allé au-delà d’un simple rangement du terrain pour institutionnaliser les procédures opératoires normalisées (SOP), les listes de contrôle ainsi que les normes de formation et d’exploitation. En s’appuyant sur l’exemplarité des responsables et la participation volontaire des équipes, un système durable a été mis en place pour que les améliorations ne restent pas ponctuelles mais s’inscrivent dans la manière de travailler de l’organisation.
Les fabs publiques de nanotechnologie constituent le socle central de l’écosystème des semi-conducteurs coréen (K-semi-conducteurs), où les entreprises nationales du secteur MCE développent et valident de nouvelles technologies et de nouveaux produits. Ji Hyun-ki, directeur du Centre de coopération gagnant-gagnant, a déclaré : ‘En greffant sur les fabs publiques le savoir-faire d’innovation manufacturière accumulé grâce au conseil auprès des partenaires, nous continuerons de contribuer au renforcement de la compétitivité de l’ensemble de l’écosystème national des semi-conducteurs.’
Le ministère prévoit d’étendre progressivement ce modèle d’innovation, après le National NanoFab Center et l’Institut de nanoconvergence, à d’autres établissements tels que le Korea Advanced Nano Fab Center, l’Institut de recherche interuniversitaire sur les semi-conducteurs de l’Université nationale de Séoul, l’Institut de recherche sur les capteurs et semi-conducteurs de nouvelle génération du DGIST (Institut des sciences et technologies de Daegu-Gyeongbuk), et le Centre de technologie MCE de l’ETRI (Institut coréen de recherche en électronique et télécommunications). Il entend en outre partager les résultats du conseil et les meilleures pratiques avec l’ensemble des institutions participant à MoaFab, la plateforme de mise en réseau et d’intégration des fabs publiques de nanotechnologie, afin d’accroître la fiabilité des infrastructures nationales de R&D en semi-conducteurs et de démonstration-évaluation du secteur MCE.
Yoon Kyung-sook, directrice des politiques de recherche fondamentale et originelle au ministère, a affirmé : ‘Le transfert d’un savoir-faire avancé d’exploitation des fabs par le privé est, au même titre que le transfert d’équipements inutilisés par les trois grands du secteur, un modèle exemplaire de coopération gagnant-gagnant capable d’établir de façon novatrice une dynamique vertueuse dans l’écosystème des semi-conducteurs.’ Elle a ajouté : ‘À l’avenir, autour de MoaFab, dispositif national de soutien à la R&D en semi-conducteurs, nous renforcerons la coopération public-privé avec les trois grands du secteur, à travers le conseil privé, le transfert d’équipements inutilisés ou encore la mobilisation d’experts chevronnés du privé.’
Cette coopération a pour mérite de diffuser les capacités de gestion de terrain accumulées par les grandes entreprises vers l’infrastructure publique de recherche, élargissant ainsi le socle qui permet aux entreprises du secteur MCE et aux chercheurs de se consacrer au développement et à la validation de leurs technologies dans un environnement plus sûr et plus fiable.
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